请问如何画GTO,GTR ,IGBT,MOSFET四种电力电子器件的符号并标注各引脚名称。
上述提到的器件都属于功率开关器件。若按参与导电的载流子是一种还是两种，可分为单极器件和双极器件。其中属于双极器件的有：scr、gto、gtr以及igbt；单极器件的是功率mosfet。scr是可控硅整流器，也叫晶闸管，主要用在类似于二极管的领域，其与二极管不同的是，正向工作时，可通过门极电流来触发导通，而不像是二极管过了导通电压就能直接导通，但其关断不能通过门极关断，而是将电流减小至某个值以下，或是直接的换向关断。gto是gate
turn-off
thyristor，
为门极可关断晶闸管，即可以通过控制门极关断晶闸管。gtr应该是giant
transistor，为巨型晶体管，导通工作时要求发射结集电结均正偏，与普通bjt工作类似。以上的器件主要用于大电流，高压，低频场合。而功率mosfet由于是单极型器件，电流处理能力相对较弱，但由于其在开关过程中，没有载流子存储的建立与抽取，其频率特性好，用于高频低压领域。而igbt，为insulated
gate
bipolar
transistor，是绝缘栅双极场效应管，为电压控制电流，栅控器件，其工作频率比普通的双极器件高，电流处理能力比mosfet要强，一般用于中高频中高压领域。
画出E-PMOSFET的电路符号，说明其有夹断还是开启电压，是正值还是负值？
场效应管是靠叫做“导电沟道”的机制导电的，通俗的讲，该沟道越宽，导电能力越强（即电阻越小），宽度为0，则不导电。
有两种类型的场效应管：增强型和耗尽型。
增强型的在栅源电压小于一定值时是没有导电沟道的（宽度为0），大于该值时才导电，这就是开启电压。
耗尽型的在栅源电压=0时就已经存在非0宽度的导电沟道，而随着栅源电压的降低，沟道宽度越来越小，当沟道宽度=0时对应的栅源电压就称为夹断电圧。
MOSFET 有几种类型，电路符号是什么样
一、场效应管的分类 按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。 二、场效应三极管的型号命名方法 第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。 三、场效应管的参数 1、I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压U GS=0时的漏源电流。 2、UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。 3、UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。 4、gM — 跨导。是表示栅源电压U GS — 对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。 5、BUDS — 漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。 6、PDSM — 最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。 7、IDSM — 最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM.
河北理工大学智能仪器厂怎么样？
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哈尔滨工业大学有哪些王牌专业？
哈工大王牌专业如下：1、机械设计制造及其自动化专业。这可是哈尔滨工业大学的元老级专业之一，紧随哈尔滨工业大学建立而设立，在国内位居前列。依托于百年学科的强大基因，机械设计制造及其自动化专业面向国际学术前沿，聚焦国家重大需求，契合智能制造的发展潮流，致力于培养引领机械工程领域发展的创新型领军人才。2、计算机科学与技术专业哈工大的计算机科学与技术专业，可以说是哈工大的顶尖专业了。不仅是国家一级重点学科，在全国的排名更是非常靠前。许多计算机专业的学生考研都会选择哈工大，一些其他院系的学生也会转专业到计算机专业，这些都足以说明哈工大的计算机专业实力雄厚，并且非常受欢迎。3、电气工程及其自动化电气专业推动着现代社会的发展，哈工大的电气工程及其自动化专业，更是以超群的实力在现代科技领域占有重要地位。不仅学科排名在全国非常靠前，其师资力量、科研实力也非常雄厚。该专业的主要课程有数字电子技术基础、电力工程导论、电机学、计算机组成技术等。4、飞行器制造专业哈工大飞行器制造专业在全国的排名也非常靠前，很多对航空感兴趣的同学都会在填报志愿、考研的时候选择哈工大的这个王牌专业。该专业主要课程有材料力学、航天学技术概论、飞行器结构力学等培养了非常多的航天领域内的优秀人才，本科毕业生也受到很多用人单位的喜爱。5、高分子材料与工程哈尔滨工业大学高分子材料与工程专业历史悠久，前身为1962年成立的航空非金属材料专业，后并入焊接专业胶接教研室，1981年调整为高分子材料与工程专业。高分子材料与工程专业立足航天，服务国防、面向国民经济主战场，强调理工结合。专业老师在线权威答疑 zy.offercoming.com
可控硅，场效应管，三极管的区别？
场效应管 VS 三极管1、微件不同：场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。2、放大系数：场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。3、输入电阻：场效应管栅极几乎不取电流（ig»0）；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。4、性能不同：场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。扩展资料：一、场效应管的工作原理：场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。二、三极管的产品作用：晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。参考资料：百度百科：可控硅 参考资料：百度百科：三极管参考资料： 百度百科：场效应管
